[发明专利]PIN二极管阵列结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种PIN二极管阵列结构，由多个PIN二极管并联组成；每个PIN二极管包括基板、N型阴极、本征半导体、P型阳极、隔离区、N型外基区阴极；基板上方形成有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有1.2μm～3μm的本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明还公开了所述PIN二极管阵列结构的制造方法。本发明通过增加外延层的厚度，降低反向偏置时的漏电，从而在增加反向偏置电压时提高大信号的反向隔离度，并通过并联相同的单元并优化设计来最小化寄生电容，得到较小的正向串联电阻和正反向寄生电容，从而降低正向插入损耗。

主权项

一种PIN二极管阵列结构，其特征在于，所述阵列结构由多个PIN二极管单管并联组成；每个PIN二极管单管包括基板、N型阴极、本征半导体、P型阳极、隔离区、N型外基区阴极；所述基板上方形成有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有厚度为1.2μm～3μm的本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆环状N型外基区阴极，所述本征半导体靠近所述N型阴极端的周边同圆环状N型外基区阴极相贴，所述本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆片状P型阳极，所述本征半导体远离N型阴极端的周边及圆片状P型阳极周边同圆环状N型外基区阴极之间通过与圆片状N型阴极同轴的圆环状隔离区隔离。