[发明专利]增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法无效
| 申请号： | 201110310521.3 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102768948A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法，包括以下步骤：步骤一、先刻蚀硅表面上的二氧化硅阻挡层；步骤二、去除光刻胶，以二氧化硅作为阻挡层，继续刻蚀硅槽至所需的深度，进行刻蚀形成深的槽；步骤三、通过炉管在沟槽里生长氮化硅膜；步骤四、进行氮化硅的垂直刻蚀，只留下沟槽侧壁的氮化硅；步骤五、进行炉管二氧化硅的成长；步骤六、用化学药液清洗掉侧壁的氮化硅；步骤七、再进行侧壁栅氧的氧化。本发明通过利用氮化硅和二氧化硅的不同选择比，在深沟槽的底部形成底部比沟槽侧壁沟道区域更厚的栅氧，同时在沟槽的顶部更加圆滑，从而提高了深沟槽的IGBT的高温可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 沟槽 igbt 可靠性 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种增强沟槽型IGBT可靠性器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、先刻蚀硅表面上的二氧化硅阻挡层；步骤二、去除光刻胶，以二氧化硅作为阻挡层，继续刻蚀硅槽至所需的深度，进行刻蚀形成深的槽；步骤三、通过炉管在沟槽里生长氮化硅膜；步骤四、进行氮化硅的垂直刻蚀，只留下沟槽侧壁的氮化硅；步骤五、进行炉管二氧化硅的成长；步骤六、用化学药液清洗掉侧壁的氮化硅；步骤七、再进行侧壁栅氧的氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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