[发明专利]一种CMOS镍硅化物和金属欧姆接触工艺的制备方法

摘要

本发明提供一种CMOS镍硅化物和金属欧姆接触的制备方法，先进行应力氮化硅和金属沉积前的介电质层填充，然后再进行光刻和刻蚀并形成通孔，在通孔底部沉积镍金属并形成硅化物。本发明中可以在较高的温度下进行应力氮化硅层和金属沉积前的介电质层填充，改善了应力和填充效果，可以省略SAB步骤，简化了工艺流程。

主权项

一种CMOS镍硅化物和金属欧姆接触工艺的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在已形成CMOS器件的硅片表面依次沉积一应力氮化硅层和一介电质层；步骤2：在介电质层上涂覆一层光刻胶，对光刻胶层光刻形成第一开口和第二开口，所述第一对第一开口和第二开口中暴露的介电质层进行刻蚀，刻蚀至第一开口中暴露出栅极、第二开口中暴露出半导体硅片为止，分别形成相应的第一通孔和第二通孔；步骤3，在介电质层上、第一通孔和第二通孔的底部沉积一金属镍层，对第一通孔和第二通孔中沉积形成的金属镍层进行高温退火形成金属镍硅化物；步骤4，在除去介电质层上金属镍层后，进行后续金属连线沉积形成欧姆接触。