[发明专利]一种微波退火形成镍硅化物的方法无效
| 申请号： | 201110307935.0 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446730A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波退火形成镍硅化物的方法：对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；沉积镍或者镍合金，在其表面覆盖一层阻挡层；将晶片加热至第一温度的过程中同时使用微波辐射，使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍；移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金；将晶片加热至第二温度的过程中同时使用微波辐射，使高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。本发明在加热的同时使用微波对硅片表面进行辐照，提高原子运动的活性，促进原子重新排列；降低了加热的第一温度，对镍的第一步扩散进行限制；在第二温度基础上提高原子运动的活性，促进原子重新排列，有助于改善硅化镍的均匀性，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 退火 形成 镍硅化物 方法 | ||
【主权项】：
一种微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，包括下列步骤：对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；在清洗后的硅表面上沉积镍或者镍合金，在镍或者镍合金的表面覆盖一层阻挡层；将晶片加热至第一温度的过程中，同时使用微波辐射，使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍；移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金；将晶片加热至第二温度的过程中，同时使用微波辐射，使所述高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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