[发明专利]一种微波退火形成镍硅化物的方法无效
| 申请号： | 201110307935.0 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446730A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 退火 形成 镍硅化物 方法 | ||
1.一种微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，包括下列步骤：
对暴露的硅表面进行预清洗，除去自然氧化物；
在清洗后的硅表面上沉积镍或者镍合金，在镍或者镍合金的表面覆盖一层阻挡层；
将晶片加热至第一温度的过程中，同时使用微波辐射，使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍；
移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金；
将晶片加热至第二温度的过程中，同时使用微波辐射，使所述高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。
2.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述在镍或者镍合金的表面覆盖一层阻挡层为氮化钛层或者钛层。
3.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述预清洗除去自然氧化物的步骤通过SiCoNi腔或者HF浸泡进行清洗，移除厚度为15A~50A的硅表面层来完成。
4.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述的镍或者镍合金通过物理气相沉积法沉积在清洗后的硅表面上。
5.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述第一温度为220℃~300℃。
6.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述的移除表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金通过湿法清洗进行。
7.根据权利要求1所述的微波退火形成镍硅化物的方法，其特征在于，所述的第二温度为380℃~550℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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