[发明专利]一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用无效
| 申请号： | 201110306751.2 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102354729A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 沈波;孙明成;翟继卫;汪昌州 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00;B82Y40/00;B32B9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于多级存储相变存储器的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜。本发明的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ge2Sb2Te5薄膜和单层Ga30Sb70薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度和单层Ga30Sb70薄膜的厚度均为10~133nm；所述Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为90-200nm。本发明的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜用于相变存储器中能够实现多级存储，同时具有较高的热稳定性，对数据的保持能力极强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多级 存储 相变 存储器 纳米 多层 复合 薄膜 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料，其特征在于，所述Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ge2Sb2Te5薄膜和单层Ga30Sb70薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度和单层Ga30Sb70薄膜的厚度均为10～133nm；所述Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为90‑200nm。
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