[发明专利]一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜，其从太阳能电池晶体硅表面依次向外，第一层为厚度为10～15nm，折射率为2.2～2.4的氮化硅薄膜；第二层为厚度为30～35nm，折射率为1.95～2.05的氮化硅薄膜；第三层为厚度为8～10nm，折射率为2.3-2.4的氮化硅薄膜；第四层为厚度为30～35nm，折射率为2.1-2.15的氮化硅薄膜。其采用管式PECVD镀膜，第一、二、三、四层膜的沉积温度均为450℃-470℃，第一层膜的氨气流量为3000-3500sccm、硅烷流量为800-850sccm；第二层膜的氨气流量为6500-7000sccm、硅烷流量为700-730sccm；第三层膜的氨气流量为4000-4500sccm、硅烷流量为780-800sccm；第四层膜的氨气流量为6500-6800sccm、硅烷流量为880-900sccm。本发明可以将制成的晶体硅太阳能电池表面的反射损失减少0.9％-1.2％，将制成的晶体硅太阳能电池的转换效率提高0.15％-0.25％。

主权项

一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜，其特征在于：其是由四层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的第一层氮化硅薄膜，厚度为10～15nm，折射率为2.2～2.4；第二层为第二层氮化硅薄膜，厚度为30～35nm，折射率为1.95～2.05；第三层为第三层氮化硅薄膜，厚度为8～10nm，折射率为2.3‑2.4；第四层为第四层氮化硅薄膜，厚度为30～35nm，折射率为2.1‑2.15。