[发明专利]薄膜太阳能电池制作工艺、薄膜太阳能电池前体层堆叠的制造方法和太阳能电池前体层堆叠无效

专利信息
申请号: 201110304183.2 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN102447013A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 斯特凡·克莱恩;杜比亚斯·斯托利;苏珊娜·布斯史鲍姆;马丁·罗德;科拉德·施沃恩特兹;克利斯汀·斯多摩 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/0392;H01L31/076;C23C16/40
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 王安武
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及薄膜太阳能电池制作工艺、薄膜太阳能电池前体层堆叠的制造方法和太阳能电池前体层堆叠,描述了一种制造适用于薄膜太阳能电池的层堆叠的方法以及用于太阳能电池的前体。该方法包括以下步骤:在透明衬底上沉积TCO层,沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一导电类型层,沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结的第一本征型层,以及沉积配置来用于太阳能电池的第一p-i-n结另一导电类型层,其中该另一导电类型层与第一导电类型层的导电性相反。该方法还包括以下步骤:通过化学气相沉积来设置含SiOx的中间层,以及沉积配置来用于太阳能电池的第二p-i-n结,其中含SiOx的中间层设置在另一导电类型层之内,并且其中含SiOx层具有小于等于17nm的厚度。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 制作 工艺 前体层 堆叠 制造 方法
【主权项】:
一种制造适用于薄膜太阳能电池的层堆叠的方法,该方法包括以下步骤:在透明衬底上沉积TCO层;沉积配置来用于太阳能电池的第一p‑i‑n结的第一导电类型层;沉积配置来用于太阳能电池的第一p‑i‑n结的第一本征型层;沉积配置来用于太阳能电池的第一p‑i‑n结的另一导电类型层,所述另一导电类型层与所述第一导电类型层的导电性相反;通过化学气相沉积来设置含SiOx的中间层;以及沉积配置来用于太阳能电池的第二p‑i‑n结;其中所述含SiOx的中间层设置为所述另一导电类型层的一部分,并且其中所述含SiOx的中间层具有小于等于17nm的厚度。
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