[发明专利]二维电容传感器的结构及定位方法无效
| 申请号： | 201110296706.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102368192A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李海;陈奇 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维电容传感器的结构，其由单层ITO组成，中间区域为触控操作区域，所述传感器的四个周围边缘处均设有条形电极块。本发明所述的二维电容传感器的结构和定位方法，利用了单层ITO侦测触碰点的位置坐标，不但结构和工艺上更加简单，而且能够大大减少芯片引脚的个数，降低封装尺寸和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 电容 传感器 结构 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种二维电容传感器的结构，其由单层ITO组成，中间区域为触控操作区域，其特征在于：所述传感器的四个周围边缘处均设有条形电极块。
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