[发明专利]有机硅多层材料及其合成方法有效

专利信息
申请号: 201110294490.7 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN103028439A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 魏一伦;高焕新;周斌;顾瑞芳;季树芳;方华;姚晖 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
主分类号: B01J31/26 分类号: B01J31/26;B01J35/10;B01J20/22;B01J20/30;C07C15/073;C07C2/66
代理公司: 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人: 沈原
地址: 100728 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种有机硅多层材料及其合成方法,主要解决现有技术中合成的多层材料的骨架结构中不含有机硅、选择吸附性能差的问题。提供一种有机硅多层材料,包括以下摩尔关系的组成:(n)SiO2:Al2O3:(m)R,式中n=5~100,R是烷基或苯基中的至少一种,m/n=0.001~1.0;其Si29NMR固体核磁图谱在-80~+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰;其X-射线衍射图谱在12.3±0.2,11.0±0.2,6.82±0.1,4.41±0.1,3.95±0.1,3.55±0.1,3.42±0.1,3.35±0.1埃处有d-间距最大值,该有机硅多层材料可作为有机化合物转化用的催化剂或吸附剂的组份。
搜索关键词: 有机硅 多层 材料 及其 合成 方法
【主权项】:
一种有机硅多层材料,包括以下摩尔关系的组成:(n)SiO2:Al2O3:(m)R,式中n=5~100,R是烷基或苯基中的至少一种,m/n=0.001~1.0;所述有机硅多层材料的Si29NMR固体核磁图谱在‑80~+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰;所述有机硅多层材料的X‑射线衍射图谱在12.3±0.2,11.0±0.2,6.82±0.1,4.41±0.1,3.95±0.1,3.55±0.1,3.42±0.1,3.35±0.1埃处有d‑间距最大值。
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