[发明专利]一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种采用喷雾热解法制备ZnO基透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：配制Zn源和掺杂离子源构成的前驱体溶液，前驱体溶液中Zn2+的浓度为0.01mol/L～5mol/L，Zn2+和掺杂离子的摩尔配比为1∶0.01～0.3；在前驱体溶液中加入酸和有机溶剂，然后将前驱体溶液雾化，雾化后的溶液经载气运送至薄膜生长室，在温度为250℃～850℃的衬底表面上分解沉积生成ZnO基透明导电薄膜。本发明提供的制备ZnO基透明导电薄膜的方法，设备与原料成本较低，工艺简单、生产周期短，所制得的产品表面电阻率小且透光率高。

主权项

一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)配制Zn源和掺杂离子源构成的前驱体溶液，前驱体溶液中Zn2+的浓度为0.01mol/L～5mol/L，Zn2+和掺杂离子的摩尔配比为1∶0.01～0.3，其中掺杂离子至少包括Al3+、In3+、Ga3+、Sn4+和F‑中的一种；(2)在前驱体溶液中加入酸和有机溶剂，使前驱体溶液的PH值调节至1.50～6.00并且使前驱体溶液中的Zn离子和掺杂离子均匀混合，加入的酸至少包括醋酸、草酸、柠檬酸、水杨酸、抗坏血酸、硝酸和盐酸中的一种，加入的有机溶剂至少包括乙醇、甲醇和丙酮中的一种；(3)将混合均匀的前驱体溶液雾化，雾化后的溶液经载气运送至薄膜生长室，在温度为250℃～850℃的衬底表面上分解沉积生成ZnO基透明导电薄膜，衬底为单晶硅片、硅酸盐玻璃、石英玻璃、蓝宝石或碳化硅片。