[发明专利]一种提升铜互连技术中抗电迁移特性的方法无效
| 申请号： | 201110285221.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332425A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;陈琳;杨雯;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于32纳米及以下工艺中提升铜互连线的抗电迁移特性的方法。在铜互连线上采用自对准工艺制备CuSi3、CuGe、CuSiN等覆盖层，加上新型阻挡层材料的使用，可以大大提高铜互连线的抗电迁移特性并且保持铜互连线的高导电性能，为32纳米及以下工艺节点中提供了理想的互连结构工艺解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 互连 技术 中抗电 迁移 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种提升铜互连线的抗电迁移特性的方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个半导体衬底；利用通常CMOS工艺完成前道MOS器件的制备；形成第一层绝缘介质；光刻、刻蚀定义出互连位置；形成扩散阻挡层；形成铜互连线；在铜互连线上制备覆盖层；刻蚀部分用于后续互连的所述铜互连线上的覆盖层；利用双镶嵌工艺形成后续铜互连线结构；在后续形成的铜互连线上制备覆盖层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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