[发明专利]一种基于MOSFET的拼波功率调节装置

摘要

本发明公开了基于MOSFET的拼波功率调节装置，根据需要的功率，调节导通角α，使其在0-π范围内变化，即可实现输出电压在第二级电压与第一级电压范围内的连续调节，从而实现对用电设备所需要功率的调节。由于每组绝缘栅型电力场效应管均由一个正向绝缘栅型电力场效应管和一个反向绝缘栅型电力场效应管串联组成，在对每组绝缘栅型电力场效应管关断后，为一个反向串联的本征二极管构成的输出电路，不会导通形成回路，这样，克服了绝缘栅型电力场效应管本身的结构所致的在漏极和源极之间反向并联的本征二极管的影响，避免了两级次级同时输出引起短路的情况发生，就可以将MOSFET应用于拼波功率调节装置了。

主权项

一种基于MOSFET的拼波功率调节装置，包括：一台变压器，该变压器具有两个不同变比的第一级次级输出、第二级次级输出，变压器的初级接电网主回路，两个次级输出相位相同、电压不同的第一级电压和第二级电压，其中，第一级电压小于第二级电压；其特征在于，还包括：第一组、第二组绝缘栅型电力场效应管，分别接变压器的第一级、第二级次级输出；第一级、第二级次级输出分别经过第一组、第二组绝缘栅型电力场效应管后，输出给需要进行功率调节的用电设备；第一组、第二组绝缘栅型电力场效应管均由一个正向绝缘栅型电力场效应管和一个反向绝缘栅型电力场效应管串联组成，其中正向绝缘栅型电力场效应管是指漏极D到源极S与输出方向一致，反向绝缘栅型电力场效应管是指漏极D到源极S与输出方向相反；一个控制器，控制器的相位捕获模块与变压器的次级输出连接，用于获得次级输出电压的相位；控制器根据用电设备需要的功率，0‑π范围内调节导通角α，然后输出驱动信号给两组绝缘栅型电力场效应管，控制其导通或关断：(1)、当次级输出电压过零点后，第一组绝缘栅型电力场效应管导通，第二组绝缘栅型电力场效应管关断；(2)、当次级输出电压位于导通角α处时，第一组绝缘栅型电力场效应管关断，第二组绝缘栅型电力场效应管导通；控制器按照上述控制时序，周期性地控制两组绝缘栅型电力场效应管导通、关闭，调节用电设备需要的功率。