[发明专利]Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110281232.5 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403417A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 成汉珪;郑薰在;杨丁子;孙哲守 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供Ⅲ族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供Ⅲ族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒；在每个第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 纳米 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造III族氮化物纳米棒发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过提供III族源气体和氮源气体在基底的被开口暴露的部分上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供氮源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。
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