[发明专利]柔性基底的压电能量采集器及制备方法无效
| 申请号： | 201110279022.2 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102332529A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;唐刚;刘景全;杨春生;李以贵 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微机电系统技术领域的柔性基底的压电能量采集器及制备方法，该采集器包括：硅固定基座、聚对二甲苯基压电薄膜层和质量块，所述聚对二甲苯基压电薄膜层一端固定在硅固定基座上，另一端悬空并与质量块固定连接。聚对二甲苯基压电薄膜层由聚对二甲苯层及附于聚对二甲苯层上的压电薄膜层，压电薄膜层表面覆盖电极层。与现有的硅基MEMS压电能量采集器相比，其能有效提高器件的尖端位移，进而提高器件的输出特性，具有转换效率高等特点。该器件不但结构简单，制作容易，体积减小，并且它可运行于低频环境中，可有效地克服MEMS压电能量采集器输出功率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 基底 压电 能量 采集 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性基底的压电能量采集器，其特征在于，包括：硅固定基座、聚对二甲苯基压电薄膜层和质量块，所述聚对二甲苯基压电薄膜层一端固定在硅固定基座上，另一端悬空并与质量块固定连接。
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