[发明专利]柔性基底的压电能量采集器及制备方法

权利要求书

1. 一种柔性基底的压电能量采集器，其特征在于，包括：硅固定基座、聚对二甲苯基压电薄膜层和质量块，所述聚对二甲苯基压电薄膜层一端固定在硅固定基座上，另一端悬空并与质量块固定连接。

2.根据权利要求1所述的柔性基底的压电能量采集器，其特征是，所述的聚对二甲苯基压电薄膜层，由聚对二甲苯层及附于聚对二甲苯层上的压电薄膜层，其中：压电薄膜层表面覆盖电极层。

3.根据权利要求2所述的柔性基底的压电能量采集器，其特征是，所述的电极层为Cr、Ni、CrAu合金或TiPt合金制成。

4.根据权利要求1或2所述的柔性基底的压电能量采集器，其特征是，所述的聚对二甲苯基压电薄膜层和质量块具体通过环氧树脂实现粘贴。

5.根据权利要求1或2所述的柔性基底的压电能量采集器，其特征是，所述的压电薄膜层，其中压电薄膜材料为PZT陶瓷或PMNT压电单晶。

6.根据权利要求1所述的柔性基底的压电能量采集器，其特征是，所述的质量块为镍金属块或钨金属块或硅质量块。

7.一种根据权利要求1所述柔性基底的压电能量采集器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，通过键合和减薄方法制备硅基压电薄膜；

第二步，在硅基压电薄膜表面上制备电极；

第三步，沉积聚对二甲苯薄膜；

第四步，使用微加工工艺制备压电能量采集器结构；

第五步，采用SU8胶工艺制备质量块，使压电能量采集器的悬空端粘有一个质量块；

第六步，焊接电导线，极化压电片。

8.根据权利要求7所述的柔性基底的压电能量采集器的制备方法，其特征是，所述的键合和减薄方法制备硅基压电薄膜，具体是：将体材压电材料单面抛光，通过环氧树脂粘贴在硅基片上，然后通过化学机械研磨抛光方法将压电片厚度减薄至所需的厚度。

9.根据权利要求7所述的柔性基底的压电能量采集器的制备方法，其特征是，所述的制备电极，是指采用liftoff方法或先溅射后采用离子铣刻蚀图形化电极。

10.根据权利要求7所述的柔性基底的压电能量采集器的制备方法，其特征是，所述的聚对二甲苯薄膜采用化学气相沉积方法沉积。