[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110278316.3 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102694024A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 小松香奈子;森冈纯;白井浩司;高桥启太;山田翼;清水茉莉子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其第1导电型的第1半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有第1杂质浓度，第1导电型的第2半导体层在第1半导体层的下层，将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第1杂质浓度小的第2杂质浓度，第1导电型的第3半导体层将第1方向作为长度方向，从元件区域延伸至元件终端区域，具有比第2杂质浓度小的第3杂质浓度，与第2半导体层相接地配置。元件区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在所述第5半导体层侧的端部之间的距离，比元件终端区域中第1半导体层与场氧化膜之间的边界、与第3半导体层在第5半导体层侧的端部之间的距离小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体基板；元件区域，形成于所述半导体基板上，并形成有MOS晶体管；元件终端区域，形成于所述半导体基板上，并形成于所述元件区域的终端部；第1导电型的第1半导体层，将第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，并且具有第1杂质浓度，在所述元件区域中，用作所述MOS晶体管的漏极区域；第1导电型的第2半导体层，在所述第1半导体层的下层，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，并且具有比所述第1杂质浓度小的第2杂质浓度；第1导电型的第3半导体层，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而在半导体基板上形成至所述元件终端区域，并且具有比所述第2杂质浓度小的第3杂质浓度，该第1导电型的第3半导体层与所述第2半导体层相接地配置，用作所述MOS晶体管的漂移层；场氧化膜，在所述第3半导体层的表面与所述第1半导体相接地配置；第2导电型的第4半导体层，在所述半导体基板上，将所述第1方向作为长度方向，从所述元件区域延伸而形成至所述元件终端区域，用作所述MOS晶体管的沟道区域；第1导电型的第5半导体层，形成于所述第4半导体层的表面，用作所述MOS晶体管的源极区域；和栅极电极，跨过所述第3半导体层及所述第4半导体层，隔着栅极绝缘膜形成在所述半导体基板的表面上，所述元件区域中的所述第1半导体层与所述场氧化膜之间的边界、与所述第3半导体层的所述第5半导体层侧的端部之间的距离，比所述元件终端区域中的所述第1半导体层与所述场氧化膜之间的边界、与所述第3半导体层的所述第5半导体层侧的端部之间的距离小。
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