[发明专利]晶片低温接合的方法无效
| 申请号： | 201110272685.1 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102832147A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 陈国辉;詹上庆;温育德;庄淑珍 | 申请（专利权）人： | 广化科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种晶片低温接合的方法，其包括：将一第一金属层形成于一晶片的一表面；将一第二金属层形成于一基板的一侧面，该第二金属层的材质是不同于该第一金属层；对该晶片相对于该第一金属层的另一表面以及该基板相对于该第二金属层的另一侧面施予一预接合压力，以使该第一金属层与该第二金属层之间进行预接合而相接；以及于100℃至300℃的温度下，以一扩散反应时间对该经预接合的晶片及该基板进行加热，以使该第一金属层与该第二金属层在二者之间的界面处进行扩散反应，以形成一熔点高于200℃的扩散合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 低温 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片低温接合的方法，其特征在于，其包括以下步骤：将一第一金属层形成于一晶片的一表面；将一第二金属层形成于一基板的一侧面，该第二金属层的材质是不同于该第一金属层；对该晶片相对于该第一金属层以及该基板施加一压力、加热或加压加热，以使该第一金属层与该第二金属层之间进行预接合而相接；以及于100℃至300℃的温度下，以一扩散反应时间对该经预接合的晶片及该基板进行加热，以使该第一金属层与该第二金属层在二者之间的界面处进行扩散反应，以形成一熔点高于200℃的扩散合金层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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