[发明专利]基于纳米管的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201110272489.4 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102394110A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 柳震奎;李秀一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C23/00 | 分类号： | G11C23/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性纳米管存储器件，包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上且彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且根据施加到该导电纳米管的静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；以及支承物，支承该导电纳米管，其中该支承物是直接接触该导电纳米管的导电层，且写电压施加在该第一和第二电极之一与该支承物之间。
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