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[实用新型]一种存储盘及存储设备-CN202222619950.5有效
发明人：罗飞鸿;唐畅;张敏 -专利权人：湖南博匠信息科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本实用新型适用于存储技术领域，提供了一种存储盘及存储设备，其中，所述存储盘包括国产的控制器、连接器、FLASH颗粒、多个DDR4颗粒、晶振、复位芯片以及电源模块，所述连接器采用的是CTOLC系列连接器中的任意一种；其中，所述连接器、所述FLASH颗粒、多个所述DDR4颗粒、所述晶振以及所述复位芯片均与所述控制器电连接，所述电源模块的输入端与所述连接器电连接，所述电源模块的输出端分别与所述控制器、所述FLASH颗粒以及多个所述DDR4颗粒电连接。本实施例中的存储盘可以使存储盘面对严酷环境时不会出现电气连接故障，以保证存储盘的稳定电气连接，同时还可以实现国内自主控制。
一种存储设备

[发明专利]基于纳米管的非易失性存储器件-CN201110272489.4有效
发明人：柳震奎;李秀一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。
基于纳米非易失性存储器

[发明专利]控制微机械元件的装置与方法-CN200910168520.2有效
发明人：罗伯特·卡津齐 -专利权人：卡文迪什动力有限公司
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制微机械元件的装置与方法。本发明具体提供了一种利用非易失存储器装置的方法，该非易失存储器装置具有微机械元件、接触电极和切换电极，该方法包括：向该切换电极加载第一偏压电压；将该微机械元件从与该接触电极隔开的第一状态运动到与该接触电极接触并与该切换电极隔开第一距离的第二状态；向该切换电极加载第二偏压电压；将微机械元件运动到与该切换电极隔开第二距离的位置，该第二距离小于该第一距离；将加载到该切换电极上的该偏压电压转换到第三偏压电压；和将微机械元件运动到该第一状态。为了提高本发明的效力，还提供了一种用于非易失存储器装置的短路电路和一种电路。
控制微机元件装置方法

[发明专利]机电开关及其形成方法-CN200910128693.1无效
发明人：金旻相;李志明;裴贤俊;金洞院;徐俊;张原玮;赵槿汇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。
机电开关及其形成方法

[发明专利]具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路-CN200910126405.9无效
发明人： C·L·伯丁;T·吕克斯;B·M·塞加尔 -专利权人：南泰若股份有限公司
申请日： 2004-08-12 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。
具有控件基于纳米开关元件制成电路

[发明专利]微机电系统存储器装置及其制造方法-CN200680042350.8无效
发明人：罗伯特·考津齐;罗伯特·凡·坎彭;查尔斯·史密斯 -专利权人：卡文迪什动力有限公司
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：一种制造非易失性存储器位单元的方法包括以下步骤：在衬底上沉积第一导电材料层，以及图案化和蚀刻所述第一导电材料层以形成三个非线性设置的电极。所述方法还包括以下步骤：在所述电极和所述衬底上沉积第一牺牲材料层，以及在所述第一牺牲材料层上提供细长悬臂结构，以使得所述悬臂结构与每一电极的至少一部分彼此重叠。所述方法还包含以下步骤：在所述悬臂结构和所述第一牺牲材料层上沉积第二牺牲材料层，以及在所述第二牺牲材料层上提供盖层，并在所述盖层中提供孔，以暴露所述第二牺牲材料层的至少一部分。最后，所述方法提供以下步骤：通过所述盖层中提供的所述孔去除所述第一和第二牺牲材料层，进而界定其中悬置有所述悬臂结构的腔。
微机系统存储器装置及其制造方法

[发明专利]数据存储设备和数据存储设备中读取数据的方法-CN200410063635.2无效
发明人： G·A·吉布森;R·瓦姆斯利;J·W·皮尔森 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G11C23/00 文献下载
摘要：本发明包含一个数据存储设备及一种数据存储设备中的数据读取方法。相应地，本发明的首要方面是一个数据存储设备。数据存储包含固定在悬挂机构[202]上的探针尖[208]，数据存储层[214]，至少一个的导电层[218]，有悬挂机构[202]和至少一个的导电层[218]形成的电容[212]，检测由于数据位[210]的出现使探针尖[208]产生位移引起的电容[212]变化的传感器[204]。
数据存储设备读取方法