[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110271021.3 申请日: 2011-09-02
公开(公告)号: CN102386113A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: R·A·佩盖拉;邹胜源;尹胜煜 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐小会;王忠忠
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 一种半导体器件具有安装于载体上的第一半导体小片。插入框架具有在插入框架中的开口和形成于插入框架上的多个导电柱。将插入器安装于载体和第一小片上,其中导电柱安置于该小片周围。可在插入框架中形成腔,以包含所述第一小片的一部分。通过在插入框架中的开口在载体和第一小片上沉积密封剂。可替换地,密封剂沉积于载体和第一小片上并将插入框架压靠在密封剂上。过量的密封剂通过在插入框架中的开口引出。移除载体。在密封剂和第一小片上形成互连结构。可在第一小片上或在插入框架上安装第二半导体小片。
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:提供载体;将第一半导体小片安装于所述载体上;提供插入框架,其具有在插入框架中的开口和形成在所述插入框架上的多个导电柱;将所述插入器安装于所述载体和第一半导体小片上,其中所述导电柱安置于所述第一半导体小片周围;通过所述插入框架中的开口在所述载体和第一半导体小片上沉积密封剂;移除所述载体;以及在所述密封剂和所述第一半导体小片上形成互连结构。
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