[发明专利]一种双层膜补充镀膜工艺有效

专利信息
申请号: 201110270066.9 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN102330074A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 覃玺;罗群霞;孙虎;刘亚新 申请(专利权)人: 江阴鑫辉太阳能有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;C23C16/34
代理公司: 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 代理人: 达晓玲;詹世平
地址: 214400 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种双层膜补充镀膜工艺,包括:测量获取裸硅折射率d,镀完第一层膜的膜厚度B、折射率e,镀完第二层膜的膜厚度C、折射率f的步骤;测量获取镀膜失败片的膜厚度T、折射率N的步骤;通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤。本发明使出现镀膜中止的硅片方便的得到补镀,大大的提高了产品的一次良品率,节约了生产成本,而且该发明还具有设备要求低、适用面广、参数控制精确等优点。
搜索关键词: 一种 双层 补充 镀膜 工艺
【主权项】:
一种双层膜补充镀膜工艺,其特征在于,包括:测量获取裸硅折射率d,镀完第一层膜的膜厚度B、折射率e,镀完第二层膜的膜厚度C、折射率f的步骤;测量获取镀膜失败片的膜厚度T、折射率N的步骤;通过折射率判断镀膜中止所处于的层数并对镀膜失败片进行补镀的步骤。
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