[发明专利]减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法

摘要

本发明提出一种减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底中形成n阱、p阱，在衬底上方生长栅氧层并在栅氧层上形成多晶硅栅；在n阱区域上方覆盖光刻胶层后对p阱区域进行轻掺杂漏区结构源漏注入；采用含四氟化碳组合气体灰化光刻胶层并在p阱区域源漏端界面处形成硅氟键；在p阱区域上方覆盖光刻胶层后对n阱区域进行轻掺杂漏区结构源漏注入；采用含四氟化碳组合气体灰化光刻胶层并在n阱区域源漏端界面处形成硅氟键；制作栅极侧墙并进行源漏注入，形成源极和漏极。本发明提供了一种可以减小半导体器件热载流子注入损伤的MOS器件的制造方法，既可以防止MOS器件的热载流子注入损伤，又可以抑制硼穿通现象。

主权项

一种减小半导体器件热载流子注入损伤的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述的半导体衬底中形成n阱和p阱，在半导体衬底上方氧化生长栅氧层，再在所述的栅氧层上分别形成多晶硅栅；在n阱区域上方覆盖光刻胶层，在未覆盖光刻胶层的p阱区域进行n型轻掺杂漏区结构源漏注入；采用含四氟化碳组合气体通过灰化工艺去除n阱区域上方的光刻胶层并在p阱区域的源漏端的硅衬底和栅氧层界面处形成硅氟键；在p阱区域上方覆盖光刻胶层，在未覆盖光刻胶层的n阱区域进行p型轻掺杂漏区结构源漏注入；采用含四氟化碳组合气体通过灰化工艺去除p阱区域上方的光刻胶层并在n阱区域的源漏端的硅衬底和栅氧层界面处形成硅氟键；制作栅极侧墙并进行源漏注入，形成源极和漏极。