[发明专利]一种用于监测离子注入剂量的方法

摘要

本发明涉及一种用于监测离子注入剂量的方法，首先是对测试硅片进行锗（或者碳）的离子注入，接下来在注入有所述离子的硅片上生长二氧化硅薄膜，由于之前注入的离子，对硅衬底的晶格有损伤，在生长二氧化硅薄膜的过程中，会在二氧化硅薄膜与硅衬底之间引入悬挂键等界面态，不同的注入剂量，会造成不同程度的晶格损伤，因此也会引入不同密度的界面态密度，然后再在二氧化硅薄膜上进行一层掺杂的多晶硅薄膜生长，接着，通过电荷泵方法，对二氧化硅薄膜和衬底硅之间的界面态密度进行测量，由于不同的界面态密度，是由于不同注入剂量所造成的，因此，根据界面态密度的测量结果，可以对工艺线上的注入工艺中，锗、碳的离子注入剂量进行监测。

主权项

一种用于监测离子注入剂量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、在测试硅片中进行离子注入；  步骤B、在注入有所述离子的测试硅片上生长二氧化硅薄膜；步骤C、在二氧化硅薄膜上进行一层掺杂的多晶硅薄膜的生长；步骤D、通过电荷泵方法，对二氧化硅薄膜和测试硅片之间的界面态密度进行测量；步骤E、根据界面态密度变化监测注入剂量。