[发明专利]后栅工艺中电极和连线的制造方法无效
| 申请号： | 201110263768.4 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983098A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;贺晓彬;卢一泓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种后栅工艺中栅电极与接触连线同时制备的方法，包括以下步骤：在衬底上的层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽中以及层间介质层上形成填充层；刻蚀填充层以及层间介质层直至露出衬底，形成源漏接触孔；去除填充层，露出栅极沟槽以及源漏接触孔；在源漏接触孔中形成金属硅化物；在栅极沟槽中沉积栅极介质层和金属栅；在栅极沟槽以及源漏接触孔中填充金属；平坦化填充的金属。依照本发明的制备方法，栅电极连线将采用和接触孔相同的金属材料，使得两者可用一步CMP工艺完成。这样设计的优点，一方面简化了工艺集成的复杂程度，一方面大大增强了CMP工艺对缺陷的控制，避免由于不同金属材料间可能产生的腐蚀及凹陷等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 电极 连线 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种后栅工艺中栅电极和接触连线的制造方法，包括以下步骤：在衬底上的层间介质层中形成栅极沟槽；在栅极沟槽中以及层间介质层上形成填充层；刻蚀填充层以及层间介质层直至露出衬底，形成源漏接触孔；去除填充层，露出栅极沟槽以及源漏接触孔；在源漏接触孔中形成金属硅化物；在栅极沟槽中沉积栅极介质层和金属栅；在栅极沟槽以及源漏接触孔中填充金属；平坦化填充的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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