[发明专利]生产多晶硅的方法有效
| 申请号： | 201110261807.7 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102381709A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | M·舍费尔;O·克雷奇马尔 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 发明提供生产多晶硅的方法，包括通过一个或多个喷嘴将反应气引入到反应器中，所述反应气包括含硅组分和氢气，所述反应器包括至少一个在其上沉积硅的加热细丝棒，其中阿基米德数Arn作为填充水平FL的函数描述反应器中的流动条件，FL表示棒体积相对空反应器体积的百分比例，对于至多5％的填充水平FL，所述阿基米德数Arn在下限由函数Ar＝2000×FL-0.6限定而上限由函数Ar＝17??000×FL-0.9限定的范围内，对于高于5％的填充水平，所述阿基米德数Arn为至少750～最高4000。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 方法 | ||
【主权项】：
生产多晶硅的方法，其包括通过一个或多个喷嘴将反应气引入到反应器中，所述反应气包括含硅组分和氢气，所述反应器包括至少一个在其上沉积硅的加热细丝棒，其中阿基米德数Arn作为填充水平FL的函数描述反应器中的流动条件，FL表示棒体积相对空反应器体积的百分比例，对于至多5％的填充水平FL，所述阿基米德数Arn在下限由函数Ar＝2000×FL 0.6限定而上限由函数Ar＝17 000×FL 0.9限定的范围内，对于高于5％的填充水平，所述阿基米德数Arn为至少750～最高4000。
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