[发明专利]生产多晶硅的方法

权利要求书

1.生产多晶硅的方法，其包括通过一个或多个喷嘴将反应气引入到反应器中，所述反应气包括含硅组分和氢气，所述反应器包括至少一个在其上沉积硅的加热细丝棒，其中阿基米德数Ar_n作为填充水平FL的函数描述反应器中的流动条件，FL表示棒体积相对空反应器体积的百分比例，对于至多5％的填充水平FL，所述阿基米德数Ar_n在下限由函数Ar＝2000×FL^-0.6限定而上限由函数Ar＝17 000×FL^-0.9限定的范围内，对于高于5％的填充水平，所述阿基米德数Ar_n为至少750～最高4000。

2.权利要求1的方法，其中阿基米德数下降到4.5～5.5％的填充水平，并在更高的填充水平时保持恒定。

3.权利要求1的方法，其中阿基米德数下降到6.5-7.5％的填充水平，然后保持恒定，并且从超过4.5％的填充水平开始比1～3％的填充水平时下降程度更大。

4.权利要求1的方法，其中阿基米德数下降到4.5～5.5％的填充水平，并且在更高的填充水平时上升。

5.权利要求1～4任一的方法，其中反应器体积由壁温为300K～700K的壁所限定。

6.权利要求1～4任一的方法，其中在面向反应器壁的至少一个棒的侧面上、并在该至少一个棒的长度的一半高度处测得的温度为1150K～1600K。

7.权利要求1～6任一的方法，其中硅沉积后从反应器中取出所述至少一个棒并进行机械加工产生硅块。

8.通过权利要求1～6任一的方法生产的多晶硅用于通过区熔生产单个硅晶体的用途。

9.通过权利要求1～7任一的方法生产的多晶硅用于通过使用Czochralski法晶体拉制生产单个硅晶体的用途。

10.通过权利要求1～7任一的方法生产的多晶硅用于通过块铸生产硅晶体的用途。