[发明专利]集成电路静电释放保护电路及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路静电释放保护电路及其制造方法，该保护电路包括共用同一衬底的GGMOS和至少1个硅通孔，所述硅通孔设置于GGMOS周围的衬底中。本发明的集成电路静电释放保护电路中，ESD产生时，由于ESD电流的存在，会在GGMOS上产生热量，利用设置于GGMOS周围的衬底中的硅通孔，便可以实现对GGMOS进行更快更好的散热，从而避免热对GGMOS的损伤，延长了静电释放保护电路的使用寿命，同时硅通孔的排列方式也可以实现对GGMOS的开启电压进行调节。本发明同时减小了GGMOS的尺寸，从而当ESD发生时，可以使得整个GGMOS的全部区域完全开启，提高了GGMOS的利用率。

主权项

一种集成电路静电释放保护电路，其特征在于：包括共用同一衬底的GGMOS和至少1个硅通孔，所述硅通孔设置于GGMOS周围的衬底中。