[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备有效
| 申请号： | 201110259212.8 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102386235A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;徐晋旭;李基龙;李东炫;李吉远;朴钟力;郑胤谟;李卓泳;苏炳洙;郑珉在;朴承圭;孙榕德;郑在琓 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和利用该薄膜晶体管的显示设备。该薄膜晶体管包括：基板、提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化的半导体层、与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上的栅电极、以及设置在所述半导体层与所述栅电极之间的吸气层，所述吸气层利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 利用 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：基板；半导体层，被提供在所述基板上并且通过利用金属催化剂被结晶化；栅电极，与所述半导体层绝缘并且被设置在所述半导体层上；以及吸气层，被设置在所述半导体层与所述栅电极之间，并且利用具有比所述半导体层中的金属催化剂的扩散系数小的扩散系数的金属氧化物形成。
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