[发明专利]一种新型GaN基LED外延片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110258691.1 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102315342A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;魏世祯;叶芸;杨兰 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新型GaN基LED外延片及制备该外延片的方法，其是在外延片衬底上包括有多层反射层，该多层反射层是由两种折射率不同的透明材料周期交替生长的层状结构；该层状结构之间形成窗口区，GaN外延层即可从窗口区进行外延生长，本发明的外延生长由于晶体生长方向垂直于原来的位错运动方向，且掩膜层阻断了大部分扩展位错的运动，因此能大大降低外延层中扩展位错的密度，提高GaN外延薄膜的晶体质量；同时，本发明的这种新型衬底上的多层反射层结构是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，将有源区向下发射的光反射到出光的上表面，大大的提高了LED的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型GaN基LED外延片，包括衬底、及该衬底上形成的缓冲层、非掺杂本征GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN有源层、多量子阱和P型GaN层，其特征在于：所述的这种新型GaN基LED外延片中，其衬底与GaN外延层之间包括一多层反射层，该多层反射层是由两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，该层状结构的反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构。
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