[发明专利]非埋层的双深N型阱高压隔离N型LDMOS及制造方法有效
| 申请号： | 201110258142.4 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102983161A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;段文婷;孙尧;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非埋层的双深N型阱高压隔离N型LDMOS，P型硅衬底上具有第一深N阱，第一深N阱中具有P阱和多个隔离结构；第一深N阱上为栅极，栅极一端位于P阱上，另一端位于隔离结构上；第一深N阱中具有N型重掺杂区，N型重掺杂区为LDMOS器件的漏极，P阱中具有N型重掺杂区，N型重掺杂区为LDMOS器件的源极；P阱下方具有一个第二深N型阱，N型重掺杂区下方具有一个第三深N型阱，第二、第三深N型阱的深度和注入浓度大于第一深N阱的深度和注入浓度。本发明还公开一种N型LDMOS器件的制造方法。本发明使垂直方向上的PNP的穿通和横向漏端扩展区耐压与比导通电阻的优化分别控制，工艺简单灵活，容易实现，相比埋层+外延的工艺方法成本大幅下降。 | ||
| 搜索关键词： | 非埋层 高压 隔离 ldmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非埋层的双深N型阱高压隔离N型LDMOS，其特征在于，所述N型LDMOS器件为：在P型硅衬底(10)上具有第一深N阱(11)，第一深N阱(11)中具有P阱(12)和多个隔离结构(13)；第一深N阱(11)之上为栅极(14)，栅极(14)一端位于P阱(12)之上，另一端位于隔离结构(13)之上；第一深N阱(11)中具有N型重掺杂区(152)，N型重掺杂区(152)作为LDMOS器件的漏极，P阱(12)中具有N型重掺杂区(151)，N型重掺杂区(151)作为LDMOS器件的源极；P阱(12)下方具有一个第二深N型阱(191)，N型重掺杂区(152)下方具有一个第三深N型阱(192)，所述第二、第三深N型阱(191、192)的深度和注入浓度大于第一深N阱(11)的深度和注入浓度。
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