[发明专利]碲化镉薄膜制备方法无效
| 申请号： | 201110257959.X | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102286741A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴小山;吕斌;符敏;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C24/08 | 分类号： | C23C24/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碲化镉薄膜制备方法，属于材料镀覆技术领域。该方法通过在近空间升华装置的真空室中，控制碲化镉源和衬底的距离，通过调节真空室的气压以控制真空室内的含氧量，通过在不同真空度和温度下对碲化镉源和衬底进行的两次加热、保温和冷却过程，形成碲化镉膜同相晶格的两次生长，从而生成具有晶粒大和较好织构的碲化镉薄膜；而且这种两次生长方式对衬底的形貌依赖程度较其它生长方式有很大的减小，因此可以在普通玻璃上低成本高效率地直接生长碲化镉薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜制备方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一：将衬底和碲化镉粉末源放入近空间升华装置的真空室中，调节碲化镉粉末源和衬底的距离为1～4mm，调节所述真空室中的气压为1000～10Pa，对碲化镉粉末源和衬底进行第一次加热，控制碲化镉粉末源的加热温度为500～630℃，控制衬底的加热温度为400～570℃，温度到达之后保持3‑5分钟，然后自然冷却降至室温；步骤二：调节所述真空室中的气压为0.1～10Pa，对碲化镉粉末源和衬底进行第二次加热，控制碲化镉粉末源的加热温度为570～650℃，控制衬底的加热温度为400～570℃，温度到达之后保持5分钟；步骤三：控制碲化镉粉末源和衬底同时冷却降至300～400℃保持20‑50分钟，进行退火；步骤四：最后自然冷却降至室温；整个过程不使用保护气。
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