[发明专利]碲化镉薄膜制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一：将衬底和碲化镉粉末源放入近空间升华装置的真空室中，调节碲化镉粉末源和衬底的距离为1～4mm，调节所述真空室中的气压为1000～10Pa，对碲化镉粉末源和衬底进行第一次加热，控制碲化镉粉末源的加热温度为500～630℃，控制衬底的加热温度为400～570℃，温度到达之后保持3-5分钟，然后自然冷却降至室温；

步骤二：调节所述真空室中的气压为0.1～10Pa，对碲化镉粉末源和衬底进行第二次加热，控制碲化镉粉末源的加热温度为570～650℃，控制衬底的加热温度为400～570℃，温度到达之后保持5分钟；

步骤三：控制碲化镉粉末源和衬底同时冷却降至300～400℃保持20-50分钟，进行退火；

步骤四：最后自然冷却降至室温；

整个过程不使用保护气。

2.根据权利要求1所述碲化镉薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤二中，在第二次加热之前先进行第二次预加热，控制碲化镉粉末源和衬底的加热温度为200～300℃，温度到达之后保持10分钟，再进行第二次加热。

3.根据权利要求2所述碲化镉薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤一和步骤二的耗时均是一个小时。

4.根据权利要求1、2或3所述碲化镉薄膜制备方法，其特征在于：所述衬底是玻璃或光伏电池衬底。