[发明专利]在磁性隧道结表面形成导电插塞的方法无效
| 申请号： | 201110255987.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969447A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在磁性隧道结表面形成导电插塞的方法，具体包括：提供基底，在所述基底内形成互连金属层，在所述互连金属层表面形成磁性隧道结；在所述基底和磁性隧道结表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成介质层，对所述介质层进行图形化的刻蚀，形成贯穿所述介质层的第一通孔，位于所述磁性隧道结表面的第一阻挡层的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸；在所述第一通孔的侧壁表面形成聚合物，以所述聚合物为掩膜进行刻蚀，形成第二通孔；除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔内形成导电插塞。由于位于所述磁性隧道结表面的第一阻挡层的表面尺寸大于后续形成的第一通孔的尺寸，使得所述导电插塞不会与磁性隧道结下方的导电材料发生短路或击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 表面 形成 导电 方法 | ||
【主权项】：
一种在磁性隧道结表面形成导电插塞的方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成互连金属层，在所述互连金属层表面形成磁性隧道结；在所述基底和磁性隧道结表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成介质层，对所述介质层进行图形化的刻蚀，形成贯穿所述介质层的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述阻挡层表面，位于所述磁性隧道结表面的第一阻挡层的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸；在所述第一通孔的侧壁表面形成聚合物，以所述聚合物为掩膜，对所述第一阻挡层进行刻蚀，形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述磁性隧道结表面；除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔内形成导电插塞。
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