[发明专利]一种锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结方法无效
| 申请号： | 201110255952.4 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102424580A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈克丕;高峰 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于压电陶瓷领域的一种锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的组成为(KaNabLic)(TadNb1-d)O3+xGeO2，其中a、b、c、d、x分别代表K、Na、Li、Ta组成元素的摩尔分数以及GeO2的质量分数，其数值范围是：0.4≤a≤0.6，0.4≤b≤0.6，0≤c≤0.1，0≤d≤0.2，0＜x≤2％。其制备方法包括原料的烘干、称量、混合、焙烧、成型、烧结、被银、极化等。本发明的优点在于：通过掺杂GeO2有效的降低了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结温度，在900～1040℃的低温范围内合成了性能较好的陶瓷样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
一种锗掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：该无铅压电陶瓷的化学组成通式为(KaNabLic)(TadNb1‑d)O3+xGeO2，其中a、b、c、d、x分别代表K、Na、Li、Ta组成元素的摩尔分数以及GeO2的质量分数，其数值范围是：0.4≤a≤0.6，0.4≤b≤0.6，0≤c≤0.1，0≤d≤0.2，0＜x≤2％。
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