[发明专利]一种场效应太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201110254380.8 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102290457A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 刘宝林;刘威 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/062
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森;曾权
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种场效应太阳能电池,涉及一种半导体太阳能电池。从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜,在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极,在透明导电膜上制作金属栅极,金属栅极外接电源,在衬底底面制作底部欧姆电极,底部欧姆电极接地。其电场区域比传统pn结太阳能电池更靠近表面,且宽度大,更有利于太阳光的吸收,提高了效率。可应用于制造GaN,ZnO等宽直接带隙本征半导体材料太阳能电池,以避开其p型掺杂的困难。栅极电压在一定范围可调,通过加上较强的栅极电压,有效的消除了金属与半导体功函数差以及绝缘层非故意掺杂电荷对表面电场的影响,提高开路电压。
搜索关键词: 一种 场效应 太阳能电池
【主权项】:
一种场效应太阳能电池,其特征在于从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜,所述本征半导体材料层通过外延生长在衬底上,在本征半导体材料层上生长一层透明绝缘层,在透明绝缘层上生长一层透明导电膜,在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极,在透明导电膜上制作金属栅极,金属栅极外接电源,在衬底底面制作底部欧姆电极,底部欧姆电极接地。
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