[发明专利]一种场效应太阳能电池无效
申请号: | 201110254380.8 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102290457A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 刘宝林;刘威 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/062 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森;曾权 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种场效应太阳能电池,涉及一种半导体太阳能电池。从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜,在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极,在透明导电膜上制作金属栅极,金属栅极外接电源,在衬底底面制作底部欧姆电极,底部欧姆电极接地。其电场区域比传统pn结太阳能电池更靠近表面,且宽度大,更有利于太阳光的吸收,提高了效率。可应用于制造GaN,ZnO等宽直接带隙本征半导体材料太阳能电池,以避开其p型掺杂的困难。栅极电压在一定范围可调,通过加上较强的栅极电压,有效的消除了金属与半导体功函数差以及绝缘层非故意掺杂电荷对表面电场的影响,提高开路电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 场效应 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种场效应太阳能电池,其特征在于从下至上依次设有底部欧姆电极、衬底、本征半导体材料层、透明绝缘层、透明导电膜,所述本征半导体材料层通过外延生长在衬底上,在本征半导体材料层上生长一层透明绝缘层,在透明绝缘层上生长一层透明导电膜,在本征半导体材料层表面一侧或两侧通过刻蚀和溅射工艺制成侧面欧姆电极,在透明导电膜上制作金属栅极,金属栅极外接电源,在衬底底面制作底部欧姆电极,底部欧姆电极接地。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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