[发明专利]一种锗硅外延层生长方法在审
| 申请号： | 201110247542.5 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102956445A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SiGe外延层的外延生长方法，该方法应用于PMOS的源、漏极区域的SiGe外延层填充，通过向反应腔中同时通入含Ge元素的反应气体和含碳气体，在硅衬底表面的源、漏极区域表面选择性外延生长含碳的SiGe外延层，该方法在保证SiGe外延层中Ge元素含量的前提下，增加了SiGe外延层的临界厚度并且避免应变松弛的发生，提高了PMOS的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅外延层生长方法，提供一具有硅衬底的晶片，所述硅衬底中具有PMOS的源极和漏极区域刻蚀的凹槽，其特征在于，该方法还包括，所述晶片放入反应腔后，所述反应腔中通入含锗元素的反应气体的同时通入含碳气体，在所述源极和漏极区域的所述凹槽中选择性外延生长含碳的锗硅外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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