[发明专利]嵌入式ARM处理器对NANDFLASH数据存储和删除方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式ARM(Advanced RISC Machines)处理器对NANDFLASH(非易失闪存)数据存储和删除方法，该方法严格控制NANDFLASH的每一块数据擦除的次数，首先获得NANDFLASH存储信息；然后在ARM处理器的内存(SDRAM)中建立一个数据缓存区A，从NANDFLASH的Block0，Page0和Page1读取FAT(File Allocation Table)文件分配信息(该分配信息保存NNADFLASH的坏块记录)，然后针对ARM处理器写和删除NANDFLASH数据操作请求做出判断，规定了写请求和删除请求的操作。该方法实现了不依赖操作系统的嵌入式ARM处理器对NANDFLASH的高效写入和删除操作，可大幅度提高NANDFLASH的使用寿命，且不依赖操作系统，移植简单。

主权项

一种嵌入式ARM处理器对NANDFLASH数据存储和删除方法，其特征在于，该方法严格控制NANDFLASH的每一数据块擦除的次数，具体按以下步骤操作：1)ARM处理器对NANDFLASH进行初始化，获得NANDFLASH存储信息；2)在内存中建立一个数据缓存区A，该缓数据存区A的大小与NANDFLASH的页大小一样；3)从NANDFLASH的Block0，Page0和Page1读取FAT文件分配信息，获取记录NANDFLASH坏块信息，将不对这些坏块进行任何的读写操作；4)从NANDFLASH的Block0块，Page2到Block1读取剩余其他Block的文件配置信息，获取当前可操作的Block位置、Page位置和在该Page里面设置的偏移地址Index；5)针对ARM处理器写和删除NANDFLASH数据操作请求做出判断；A)如果是数据写请求，则进行以下操作：(1)如果数据量达到数据缓存区A大小时，将缓存区的数据写入相应的Block和Page区域；(2)开始申请下一个可进行数据存储的Page，如果还在同一个Block里，则对Page偏移量加1，如果不是，则要申请一个新的Block；从上面建立的文件分配信息里面可以迅速查找可以使用的Block，同时查找出擦除次数最少的Blokc编号，通过该编号获取相应的Block地址，将Page置0；(3)如果是强制写入函数，则将数据立即写入Page，同时更改Page的索引值Index，继续填充缓存区A，直到数据量达到缓存区A的大小；(4)如果在写入过程中存在ECC校验失败的情况，则需进行Block数据拷贝操作，减少系统延时；(B)如果是数据删除请求，则进行以下操作：(1)将要删除数据开始位置的Page位置和Page偏移位置之前的数据复制到当前Block、Page和偏移位置中，同时将删除数据结束位置的Page位置和Page偏移之后的数据复制到当前Block、Page和偏移位置中；(2)在上一步的操作中如果需要新的Block存储数据时，根据建立的文件分配信息表，查找可用的Block，并将该Blokc的对应编号做相应处理；(3)擦除存在脏数据的Block，如果在擦除过程中出现ECC校验失败，再进行一次擦除操作，擦除操作后依然提示ECC校验失败，则将该Block的Page0扩展区Spare area的第六个字节标记为非Oxff的值。