[发明专利]硅基光发射器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基光发射器件及其制备方法。该器件包括硅衬底，该衬底正面经刻蚀形成纳米柱光子晶体阵列，该阵列上共形沉积含有硅纳米晶量子点结构的薄膜层，该薄膜层上覆盖透明共形电极，该衬底背面沉积有欧姆接触电极；该方法为：在衬底正面利用微球掩膜刻蚀技术，通过深反应离子刻蚀获得硅纳米柱光子晶体阵列，再依次在硅纳米柱光子晶体阵列上共形生长含有纳米硅量子点结构的薄膜层和透明共形电极，并在衬底背面上沉积欧姆接触电极，获得目标产品。本发明的硅基发光器件同时采用光子晶体纳米柱阵列和硅纳米晶量子点结构，有效提高了光提取效率和载流子注入效率，进而提高了器件发光强度和光发射效率，且器件结构简单，工艺简便，成本低廉。

主权项

一种硅基光发射器件，包括硅衬底，其特征在于，所述硅衬底正面经刻蚀形成纳米柱光子晶体阵列，所述纳米柱光子晶体阵列上共形沉积含有硅纳米晶量子点结构的薄膜层，所述薄膜层上覆盖透明共形电极，所述硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。