[发明专利]从硅藻制备高纯多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110234092.6 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102275928A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈雪刚;叶瑛;黄元凤;刘舒婷;朱旭恒;张奥博;李海晏;邵苏东;张海燕 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从硅藻制备高纯多晶硅的方法。它的步骤如下：1)将100g硅藻充分粉碎，放入400～1200oC炉中在空气或氧气气氛下煅烧0.5～8h，得到SiO2粉末；2)将SiO2粉末在0.1～1.0mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24h，过滤，清洗，60～150oC烘干后与2～10g金属还原剂粉末充分混合，放入炉中，隔绝空气或在惰性气体的保护下500～800oC煅烧0.5～12h；冷却，在0.1～1.0mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24h，烘干，即得纯度超过99%的多晶硅。本发明提出的从硅藻制备高纯多晶硅的方法，原材料成本低廉，工艺流程简单，具有极强的经济价值和应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 硅藻 制备 高纯 多晶 方法 | ||
【主权项】：
一种从硅藻制备高纯多晶硅的方法，其特征在于它的步骤如下：1)将100 g硅藻充分粉碎，放入400～1200 oC炉中在空气或氧气气氛下煅烧0.5～8 h，得到SiO2粉末；2)将SiO2粉末在0.1～1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24 h，过滤，清洗，60～150 oC烘干后与2～10 g金属还原剂粉末充分混合，放入炉中，隔绝空气或在惰性气体的保护下500～800 oC煅烧0.5～12 h；冷却，在0.1～1.0 mol/L的稀盐酸溶液中浸泡1～24 h，烘干，即得纯度超过99%的多晶硅。
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