[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110231615.1 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102255004A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 肖军;柴维醇;邱立涛 | 申请(专利权)人: | 北京泰富新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 100007 北京市东城区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池的制造方法,包括下列步骤:第一步,在基板上形成第一电极层;第二步,在所述第一电层上形成一层光电转换层;第三步,在前面工序中最后形成的所述光电转换层上形成中间层,在所述中间层上形成另一层光电转换层;第四步,如果已经达到设计的光电转换层层数,直接进入第五步;否则,重复第三步,直到达到设计的光电转换层层数,再进入第五步;第五步,在最后形成的所述光电转换层上形成第二电极层。本发明制造的薄膜太阳能电池在光电转化层中间制作中间层,改善了光电转化层之间的内部扩散效应问题,提高了堆叠的制作良好率和整体的光电转换效率;本发明的制造方法生产效率高,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:包括下列步骤:第一步,在基板上形成第一电极层;第二步,在所述第一电层上形成一层光电转换层;第三步,在前面工序中最后形成的所述光电转换层上形成中间层,在所述中间层上形成另一层光电转换层;第四步,如果已经达到设计的光电转换层层数,直接进入第五步;否则,重复第三步,直到达到设计的光电转换层层数,再进入第五步;第五步,在最后形成的所述光电转换层上形成第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的