[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 201110231615.1 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102255004A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 肖军;柴维醇;邱立涛 | 申请(专利权)人: | 北京泰富新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 100007 北京市东城区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:包括下列步骤:
第一步,在基板上形成第一电极层;
第二步,在所述第一电层上形成一层光电转换层;
第三步,在前面工序中最后形成的所述光电转换层上形成中间层,在所述中间层上形成另一层光电转换层;
第四步,如果已经达到设计的光电转换层层数,直接进入第五步;否则,重复第三步,直到达到设计的光电转换层层数,再进入第五步;
第五步,在最后形成的所述光电转换层上形成第二电极层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:所述薄膜太阳能电池包括两层光电转换层,则其具体制造步骤如下:
第一步,在基板上形成第一电极层;
第二步,在所述第一电层上形成第一光电转换层;
第三步,在所述第一光电转换层上形成中间层,在所述中间层上形成第二光电转换层;
第四步,直接进入第五步;
第五步,在所述第二光电转换层上形成第二电极层。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:所述薄膜太阳能电池包括三层光电转换层,则其具体制造步骤如下:
第一步,在基板上形成第一电极层;
第二步,在所述第一电层上形成第一光电转换层;
第三步,在所述第一光电转换层上形成第一中间层,在所述第一中间层上形成第二光电转换层;
第四步,在所述第二光电转换层上形成第二中间层,在所述第二中间层上形成第三光电转换层;
第五步,在所述第三光电转换层上形成第二电极层。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第一步中,在基板上形成第一电极层的方式为测镀法,或者为金属有机化学气相沉积法,或者为蒸镀法。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第二步中,在所述第一电层上形成一层光电转换层的方法为射频电浆辅助化学气相沉积法,或者为超高频电浆辅助化学相沉积法,或者为微波电浆辅助化学相沉积法。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第三步中,在前面工序中最后形成的所述光电转换层上形成中间层的方法为射频电浆辅助化学相沉积法,或者为超高频电浆辅助化学气相沉积法,或者为微波电浆辅助化学气相沉积法。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第三步中,在所述中间层上形成另一层光电转换层的方式与第一步中在基板上形成第一电极层的方式相同。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第五步中,在最后形成的所述光电转换层上形成所述第二电极层的方式与第一步中在基板上形成第一电极层的方式相同。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第一步中,形成所述第一电极层后,先使用第一道雷射制程来图案化所述第一电极层,作为形成多个串联电池的下电极;然后在进入第二步。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于:第五步中,形成所述第二电极层后,再使用第三道雷射制程图案化所述第二电极层,作为形成多个联电池的上电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的