[发明专利]集成有低漏电肖特基二极管的IGBT结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110229038.2 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931215A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;陆珏;丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成有低漏电肖特基二极管的IGBT结构，包括IGBT，IGBT的N型漂移区的顶部包括被多晶硅栅覆盖的区域和未被多晶硅栅覆盖的区域；未被多晶硅栅覆盖的区域下方有一块或者多块P型掺杂区，其余区域为没有P型掺杂的N漂移区；没有P型掺杂的N漂移区的顶部形成肖特基接触。本发明将低漏电肖特基二极管集成在IGBT中，当IGBT电流从发射极向集电极导通时，能够起续流作用，从而使开关速度提高，开关功耗降低；当IGBT电流从集电极向发射极导通关断时，能够为少数载流子的反向恢复多提供一旁路，从而使得续流关断的反向恢复时间大大减小。本发明还公开了一种集成有低漏电肖特基二极管的IGBT结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 漏电 肖特基 二极管 igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构，包括绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管的N型漂移区的顶部包括被多晶硅栅覆盖的区域和未被多晶硅栅覆盖的区域；未被多晶硅栅覆盖的区域下方有一块或者多块P型掺杂区，其余区域为没有P型掺杂的N漂移区；P型掺杂区顶部通过欧姆接触和正面金属与IGBT的发射极相连；没有P型掺杂的N漂移区的顶部形成肖特基接触，并作为肖特基二极管的阳极通过正面金属与IGBT的发射极相连；肖特基二极管的阴极通过背面金属与IGBT的集电极相连。
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