[发明专利]集成有低漏电肖特基二极管的IGBT结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构，包括绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述绝缘栅双极晶体管的N型漂移区的顶部包括被多晶硅栅覆盖的区域和未被多晶硅栅覆盖的区域；未被多晶硅栅覆盖的区域下方有一块或者多块P型掺杂区，其余区域为没有P型掺杂的N漂移区；P型掺杂区顶部通过欧姆接触和正面金属与IGBT的发射极相连；没有P型掺杂的N漂移区的顶部形成肖特基接触，并作为肖特基二极管的阳极通过正面金属与IGBT的发射极相连；肖特基二极管的阴极通过背面金属与IGBT的集电极相连。

2.根据权利要求1所述的集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于：所述肖特基二极管的阴极通过N型重掺杂与背面金属连接，IGBT的集电极通过P型重掺杂也与背面金属连接。

3.一种权利要求1所述的集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，按照IGBT工艺，形成IGBT栅、体区和发射区；

第二步，涂光刻胶、光刻；

第三步，通过干刻去除N漂移区顶部覆盖的一部分多晶硅；

第四步，淀积层间膜，光刻、干刻层间膜，形成接触孔，去除光刻胶；

第五步，涂光刻胶、光刻，后续将要形成肖特基接触的区域上方被光刻胶覆盖，对将要形成欧姆接触的区域进行P型离子束注入；

第六步，去除光刻胶、进行热退火，激活P型掺杂离子；

第七步，淀积能够与N型硅表面形成肖特基接触的金属埋层，进行热退火，在P型顶部形成欧姆接触，同时在与P型相邻的N漂移区顶部形成肖特基接触；

第八步，后续处理。

4.根据权利要求3所述的集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，其特征在于：所述第七步中的金属为钛、钴或者其它能与硅形成肖特基接触的金属。

5.根据权利要求3所述的集成有低漏电肖特基二极管的绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，其特征在于：所述第八步后续处理的方法为：淀积金属填满接触孔，通过干刻回刻或者化学机械研磨去除表面多余金属；淀积正面金属，通过光刻、干刻形成正面金属图形；然后在衬底背面涂光刻胶，光刻，对背面进行重掺杂硼离子注入；之后去除光刻胶，热退火，激活形成背面P型掺杂区，最后在背面形成背面金属，形成IGBT的集电极-发射极与肖特基二极管并联的器件结构。