[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201110228942.1 申请日: 2006-05-25
公开(公告)号: CN102280453A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 加藤清 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/13;H01L21/84;G06K19/07;H04B5/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片,其中,也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化,从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此,在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下,防止了过高电压的产生。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:谐振电路,配置为感生交流电压,该谐振电路包括N型MOS电容器元件;线圈,配置为无线接收电功率,并且电连接到所述谐振电路中的所述N型MOS电容器元件;控制电路;以及电源电路,配置为向所述控制电路提供基于所述交流电压产生的电压,其中所述N型MOS电容器元件的阈值电压使得能够防止所述电压过度增加。
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