[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201110228942.1 | 申请日: | 2006-05-25 |
公开(公告)号: | CN102280453A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 加藤清 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/13;H01L21/84;G06K19/07;H04B5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片,其中,也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化,从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此,在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下,防止了过高电压的产生。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:谐振电路,配置为感生交流电压,该谐振电路包括N型MOS电容器元件;线圈,配置为无线接收电功率,并且电连接到所述谐振电路中的所述N型MOS电容器元件;控制电路;以及电源电路,配置为向所述控制电路提供基于所述交流电压产生的电压,其中所述N型MOS电容器元件的阈值电压使得能够防止所述电压过度增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110228942.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于低压无功补偿柜的散热器
- 下一篇:一种无源器件保护盒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的