[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件。提供了第二导电型MIS晶体管，其中源极耦合到第二电源并且位于第一导电型阱的表面上，漏极耦合到开路漏极信号端子。第二导电型第一区设置在平行于MIS晶体管的电流流动的方向上的MIS晶体管的两侧并耦合到开路漏极信号端子。全部这些部件由耦合到第二电源的第一导电型保护环区围绕且由第一导电型保护环区围绕的外侧进一步由耦合到第一电源的第二导电型保护环围绕。由此，该半导体器件能够实现具有较小面积的开路漏极信号端子的ESD保护且没有在电源端子之间设置保护元件。

主权项

一种半导体器件，包括：第一和第二电源端子；开路漏极信号端子；第一导电型阱，所述第一导电型阱设置在半导体衬底的表面上；第二导电型MIS晶体管，其中设置在所述第一导电型阱的表面上的源区耦合至所述第二电源端子，并且漏区耦合至所述开路漏极信号端子；一对第二导电型第一区，所述一对第二导电型第一区设置在平行于第一方向的两侧，并且位于第二方向上，其中所述第一方向是所述第二导电型MIS晶体管的电流在所述第一导电型阱的表面上流动的方向，并且所述第二方向与所述第二导电型MIS晶体管的第一方向正交，并且所述第二导电型第一区中的每一个耦合至所述开路漏极信号端子；第一导电型保护环区，所述第一导电型保护环区设置在所述第一导电型阱的外周部的表面上，围绕所述一对第二导电型第一区和所述第二导电型MIS晶体管，并且耦合至所述第二电源端子，其中所述第一导电型保护环区具有高于所述第一导电型阱的浓度；第二导电型保护环区，所述第二导电型保护环区设置在所述半导体衬底的表面上，进一步从外侧围绕所述第一导电型保护环区，并且耦合至所述第一电源端子；以及所述电源端子之间的保护元件，所述保护元件耦合在所述第一电源端子和所述第二电源端子之间。