[发明专利]成膜装置以及成膜方法无效
申请号: | 201110219275.0 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102376549A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 军司勋男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置以及成膜方法,在使用固体原料进行成膜的情况下,能够将成膜原料气体稳定地且有效地向基板的表面供给,并且降低微粒污染、杂质向膜中混入的可能性。成膜装置(100)具备收纳晶片(W)的处理容器(1);加热晶片(W)的基板加热器(11);保持晶片(W)的保持部件(21);作为原料支承部的工作台(31);以及加热固体原料的原料加热器(41)。在成膜装置(100)中,例如在工作台(31)上一边加热固体原料(A)一边使该固体原料与其他的气化促进气体反应,并将生成的成膜原料气体供给到保持在保持部件(21)的晶片(W)的下表面(被处理面),使该成膜原料气体在晶片(W)的表面热分解而形成薄膜。 | ||
搜索关键词: | 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其特征在于,具备:处理容器,该处理容器收纳基板;基板保持器,该基板保持器将基板保持在上述处理容器内的上部;第一加热器,该第一加热器对保持在上述基板保持器的基板进行加热;原料支承部,该原料支承部与保持在上述基板保持器的基板对置地被配置在该基板保持器的下方;第二加热器,该第二加热器对支承在上述原料支承部的固体原料进行加热;气体供给单元,该气体供给单元用于向上述处理容器内供给与上述固体原料反应而生成成膜原料气体的气化促进气体;以及排气单元,该排气单元用于将上述处理容器内保持为真空,其中使在上述处理容器内生成的上述成膜原料气体在基板表面上热分解从而进行成膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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