[发明专利]多晶发射极三极管结构及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种多晶发射极三极管结构及其制备工艺，其在半导体三极管的截面上，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔；所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。本发明工艺步骤简单，提高多晶发射极三极管的使用范围，降低加工成本。

主权项

一种多晶发射极三极管结构，在所述半导体三极管的截面上，包括具有两个相对主面的第一导电类型半导体基板，半导体基板包括第一主面与第二主面，所述第一主面与第二主面间包括第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；所述复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔，发射区接触孔与基区接触孔从复合介质层向下延伸到半导体基板的第一主面上；其特征是：所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。