[发明专利]多晶发射极三极管结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种多晶发射极三极管结构，在所述半导体三极管的截面上，包括具有两个相对主面的第一导电类型半导体基板，半导体基板包括第一主面与第二主面，所述第一主面与第二主面间包括第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型基区接触注入区及第二导电类型基区注入区域；半导体基板的第一主面上设有复合介质层；所述复合介质层上设有发射区接触孔及基区接触孔，发射区接触孔与基区接触孔从复合介质层向下延伸到半导体基板的第一主面上；其特征是：

所述发射区接触孔的下方设有第一导电类型发射区，所述第一导电类型发射区位于第二导电类型基区注入区内的上部；发射区接触孔内填充有导电多晶硅，所述导电多晶硅并覆盖于相应的复合介质层上；发射区接触孔内的导电多晶硅上设有发射极金属，基区接触孔内设有基极金属。

2.根据权利要求1所述的多晶发射极三极管结构，其特征是：所述复合介质层包括位于半导体基板第一主面上的二氧化硅层及位于所述二氧化层上的氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的多晶发射极三极管结构，其特征是：所述第二导电类型基区接触注入区的浓度大于第二导电类型基区注入区的浓度。

4.根据权利要求1所述的多晶发射极三极管结构，其特征是：所述发射极金属与基极金属为同一制造层。

5.一种多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是，所述制备工艺包括如下步骤：

（a）、提供具有第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板包括第一主面与第二主面，所述第一主面与第二主面间包括第一导电类型外延层；

（b）、在半导体基板的第一主面上进行多次注入第二导电类型杂质离子，在第一导电类型外延层上得到第二导电类型基区接触注入区与第二导电类型基区注入区；

（c）、在半导体基板的第一主面上设置复合介质层；

（d）、选择性地掩蔽和刻蚀复合介质层，得到发射区接触孔；

（e）、向上述第一主面上淀积导电多晶硅，所述导电多晶硅填充于发射区接触孔内，并覆盖于相应的复合介质层上；

（f）、向上述导电多晶硅上注入第一导电类型杂质离子，退火后在发射区接触孔的下方形成第一导电类型发射区；

（g）、选择性地掩蔽和刻蚀导电多晶硅和复合介质层，得到基区接触孔，所述基区接触孔位于第二导电类型基区接触注入区的正上方；

（h）、向上述半导体基板的第一主面上溅射金属层，所述金属层填充基区接触孔内，并覆盖导电多晶硅上；

（i）、选择性地掩蔽和刻蚀所述金属层，得到位于发射区接触孔上的发射极金属及基区接触孔内的基极金属；

（j）、通过常规半导体工艺，得到三极管的保护层及位于第二主面上的集电极。

6.根据权利要求5所述多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是：所述复合介质层包括生长于第一主面上的二氧化硅层及淀积于所述二氧化硅层上的氮化硅层；二氧化硅层的厚度为10~200nm；氮化硅层的厚度为20~150nm。

7.根据权利要求5所述多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是：所述导电多晶硅的厚度为150nm~300nm。

8.根据权利要求5所述多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是：所述步骤（f）中，退火时，退火温度为900℃~1000℃，退火时间为10~30分钟。

9.根据权利要求5所述多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是：所述步骤（h）中，溅射得到金属层的厚度为1μm~2μm。

10.根据权利要求5所述多晶发射极三极管的制备工艺，其特征是：所述半导体基板的材料包括硅。