[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
申请号: | 201110217038.0 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN102345111A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 池内俊之;周保华;山本和弥;世良贤太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜的成膜方法和成膜装置,该成膜装置包括:处理容器;原料气体供给系统,其具有第1开闭阀,能向处理容器内供给原料气体;反应气体供给系统,其具有第2开闭阀,能向处理容器内供给反应气体;真空排气系统,其具有第3开闭阀,能将处理容器内的气氛气体排成而成为真空,其中,吸附工序和反应工序存在间歇期间地交替反复多次,该吸附工序为,关闭第3开闭阀,打开第1开闭阀规定期间,向处理容器供给原料气体之后,将其关闭,保持该状态规定期间,使原料气体吸附于被处理体的表面;该反应工序为,打开第2开闭阀,向处理容器内供给反应气体,使反应气体与原料气体反应而形成薄膜。 | ||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,使用成膜装置在被处理体上形成由氧化硅膜构成的薄膜,该被处理体的表面形成有含有金属的膜,该成膜装置包括:处理容器,其能收容上述被处理体;原料气体供给系统,其具有第1开闭阀,能向上述处理容器内供给原料气体;反应气体供给系统,其具有第2开闭阀,能向上述处理容器内供给反应气体;真空排气系统,其具有第3开闭阀,能将上述处理容器内的气氛排成真空,其特征在于,在吸附工序和反应工序之间存在间歇期间地交替反复多次该吸附工序和反应工序,该吸附工序为,关闭上述真空排气系统的上述第3开闭阀,打开上述原料气体供给系统的上述第1开闭阀第1规定期间,向上述处理容器供给上述原料气体之后,关闭该第1开闭阀,在保持上述第1开闭阀关闭第2规定期间的状态下,使上述处理容器内的上述原料气体吸附于上述被处理体的表面;该反应工序为,打开上述反应气体供给系统的上述第2开闭阀,向上述处理容器内供给上述反应气体,使上述反应气体与上述原料气体发生反应而形成薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的